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半導(dǎo)體激光器 激光切割 激光器
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通快開發(fā)新一代極紫外超高功率激光器

   通快公司投資7000萬歐元建設(shè)一幢新大樓,供工程師為半導(dǎo)體芯片制造商開發(fā)新一代極紫外(EUV)光刻設(shè)備所需的超高功率激光器。

  在產(chǎn)生極紫外光的各種光刻工具里,激光器發(fā)揮重要作用。高度復(fù)雜和昂貴系統(tǒng)的商業(yè)部署多年以來遭到拖延并一直受到極大懷疑。然而,ASML公司在4月份宣布15臺(tái)系統(tǒng)的大訂單似乎確認(rèn)了EUV光刻的可行性,而且這家荷蘭公司的最新預(yù)測(cè)表明明年會(huì)部署12臺(tái),到2017年部署24臺(tái),2018年部署48臺(tái)。

  通快公司說建造面積達(dá)34000平方米的場(chǎng)地將花費(fèi)兩年時(shí)間,半導(dǎo)體制造子公司為專門的激光器系統(tǒng)開始生產(chǎn)超大放大器之后將串聯(lián)四臺(tái)大功率激光器。

  “我們正在開發(fā)生產(chǎn)獨(dú)特而復(fù)雜的激光系統(tǒng),而且在德國提供高科技工作。”據(jù)說7000萬歐元投資包括建設(shè)成本以及超潔凈要求很高的帶有自動(dòng)化功能的復(fù)雜樓宇。多層廠房包括生產(chǎn)區(qū)、無塵室和設(shè)備檢測(cè)區(qū)域,同時(shí)相鄰的辦公大樓還有270個(gè)工作崗位。

  通快公司最新年度報(bào)告中明確列出了EUV光源的復(fù)雜度,該公司指出隨著峰值功率超過兆瓦,向錫滴打靶的重復(fù)頻率達(dá)到50000Hz是必要的。激光器要以極高的精確度擊中錫滴,要確保EUV光源功率足夠穩(wěn)定才能滿足ASML芯片制造客戶的苛刻要求,像英特爾,三星和臺(tái)積電代工廠。德國公司把這種挑戰(zhàn)比擬成“高科技野外飛靶射擊”。

  公司還描述了如何將幾臺(tái)13kW CO2激光器串聯(lián)接通達(dá)到所需的功率要求,最終從等離子體源產(chǎn)生100W的EUV光輸出。高科技產(chǎn)生極紫外光的過程非常低效,過去被人們比擬為“用核反應(yīng)堆提供動(dòng)力”,但也成為了滿足半導(dǎo)體工業(yè)批量生產(chǎn)要求擴(kuò)展EUV輸出功率的唯一可行方式。

  通快公司是唯一一家能夠供應(yīng)支撐EUV用激光器的廠商,如果按ASML預(yù)言的發(fā)展商業(yè)前景利潤豐厚。在2013-2014財(cái)政年度,通快公司稱EUV應(yīng)用已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過8.41億歐元銷售額的10%。


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