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DKDP晶體長(zhǎng)籽晶快速生長(zhǎng)技術(shù)獲進(jìn)展 將用于高功率激光裝置
材料來(lái)源:光技術(shù)求索          

日前,中科院上海光機(jī)所發(fā)文稱,該所于近期出槽一塊尺寸為470mm×495mm×560mm(長(zhǎng)×寬×柱面高)長(zhǎng)籽晶快速生長(zhǎng)的大口徑DKDP晶體,這是國(guó)際上首次獲得的大口徑長(zhǎng)籽晶DKDP晶體,標(biāo)志著長(zhǎng)籽晶快速生長(zhǎng)DKDP晶體技術(shù)得到成功驗(yàn)證。相關(guān)晶體制備技術(shù)已經(jīng)申請(qǐng)了專利(公開(kāi)號(hào):CN 109943881A,CN110055579A)。

研究團(tuán)隊(duì)采用長(zhǎng)籽晶點(diǎn)晶技術(shù)(籽晶長(zhǎng)度320mm),在自主研發(fā)的1300型連續(xù)過(guò)濾晶體生長(zhǎng)槽中經(jīng)過(guò)三個(gè)多月生長(zhǎng)成功出槽。初步測(cè)試結(jié)果表明,晶體毛坯內(nèi)部透明度好,可以滿足無(wú)錐柱交界面的大口徑二類混頻元件切割要求。

長(zhǎng)籽晶快速生長(zhǎng)技術(shù)是上海光機(jī)所在第一代DKDP晶體快速生長(zhǎng)技術(shù)(雙錐生長(zhǎng)技術(shù))基礎(chǔ)上的又一突破。它耦合了傳統(tǒng)生長(zhǎng)技術(shù)與快速生長(zhǎng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),具有傳統(tǒng)生長(zhǎng)技術(shù)無(wú)錐柱交界面、快速生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)周期短的優(yōu)點(diǎn),又兼具切片效率高的特點(diǎn),為國(guó)際高功率激光裝置建設(shè)所需DKDP晶體生長(zhǎng)提供了新方案。

連續(xù)過(guò)濾長(zhǎng)籽晶快速生長(zhǎng)技術(shù)制備的DKDP晶體

(晶體尺寸470mm×495mm×560mm,籽晶長(zhǎng)度320mm)


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