8月25日(星期二14:00-17:00)化合物半導(dǎo)體雜志將舉辦在線研討會(huì)，歡迎讀者朋友報(bào)名參與！

注冊(cè)聽會(huì)請(qǐng)點(diǎn)擊文末閱讀原文，報(bào)名截至8月24日。

會(huì)議主題：

張寧 博士，應(yīng)用工程師，牛津儀器

演講主題：

制造先進(jìn)InP收發(fā)器蝕刻和沉積的解決方案

演講摘要：

隨著光通信市場對(duì)InP收發(fā)器的需求增長，如何制造高性能高良率的InP收發(fā)器，并同時(shí)盡可能的降低制造成本，受到很多關(guān)注。在這其中，刻蝕和沉積工藝至關(guān)重要，所以本次OIPT的演講就針對(duì)這一問題，重點(diǎn)講解刻蝕和沉積解決方案中的關(guān)鍵技術(shù)。

張昭宇，香港中文大學(xué)（深圳）理工學(xué)院副教授

             深圳市微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)理事

演講主題：

化合物半導(dǎo)體在光纖通信激光器上的應(yīng)用現(xiàn)狀及前景

演講摘要：

為何選用GaAs，InP應(yīng)用于光纖通信激光器出發(fā)，討論這兩種材料相較其他光電材料本身物理化學(xué)性能的優(yōu)劣勢，以及用這兩種材料制成激光器器件的難點(diǎn)。在分析目前產(chǎn)業(yè)走勢的前提下，預(yù)估這兩種材料在激光器應(yīng)用上未來的幾個(gè)可能發(fā)展方向。最后著重介紹硅基單片集成的幾種材料、器件、集成等的解決方案。

陸敏 博士，研討會(huì)主席，《化合物半導(dǎo)體》技術(shù)顧問

                 寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長

從事化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域工作及研究25年,策劃并成功組織2屆APCSCRM國際會(huì)議; SEMI中國化合物半導(dǎo)本標(biāo)委會(huì)核心委員,國家半導(dǎo)體材料標(biāo)委會(huì)委員,成功組建寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)委會(huì),共發(fā)布實(shí)施12項(xiàng)團(tuán)標(biāo)。對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料的生長、器件制備技術(shù)及半導(dǎo)體技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化有豐富的經(jīng)驗(yàn)。近年來承擔(dān)或參與了多項(xiàng)國家發(fā)改委、工信部、科技部重點(diǎn)研究計(jì)劃63,973和國家自然科學(xué)基金等科技及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上共發(fā)表論文40余篇,申請(qǐng)國內(nèi)發(fā)明專利13項(xiàng),授權(quán)11項(xiàng),起草并發(fā)布國際標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng),國家標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng),團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)10項(xiàng)。

鄧麗剛 博士，半導(dǎo)體物理方向博士學(xué)位

三維傳感和數(shù)據(jù)通信相關(guān)市場產(chǎn)品經(jīng)理

本科就讀于湖南湘潭大學(xué)物理專業(yè)，并于2000年在英國Glasgow 大學(xué)獲得半導(dǎo)體物理方向的博士學(xué)位 ， 主要研究等離子刻蝕對(duì)半導(dǎo)體器件的損傷。畢業(yè)之后，加入牛津儀器等離子技術(shù)公司 成為工藝工程師， 2007年成為主任工程師。在牛津儀器的近20年的時(shí)間里，鄧麗剛博士主持研發(fā)了所有與制作各種光電子器件有關(guān)的III-V 半導(dǎo)體化合物材料的刻蝕工藝。目前她是公司負(fù)責(zé)面向三維傳感和數(shù)據(jù)通信相關(guān)市場的產(chǎn)品經(jīng)理。

陳佰樂 博士，上�？萍即髮W(xué)助理教授，研究員

分別于2009年和2013年在美國弗吉尼亞大學(xué)獲得物理學(xué)碩士學(xué)位和電子工程博士學(xué)位。隨后他加入位于美國俄勒岡的Qrovo (前身為Triquint Semiconductor)總部任射頻產(chǎn)品研發(fā)工程師。2016年1月全職加入上�？萍即髮W(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，任助理教授（終身教授序列）、研究員、博士生導(dǎo)師�，F(xiàn)為IEEE Access的副主編，同時(shí)也是國際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)和美國光學(xué)協(xié)會(huì)的會(huì)員。目前陳佰樂博士主持和承擔(dān)2019年度和2020年度科技部國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（光電子微電子專項(xiàng)），國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，中科院先導(dǎo)A，上海市青年揚(yáng)帆計(jì)劃，以及多項(xiàng)中科院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目。

贊助商介紹：

牛津儀器1959年創(chuàng)建于英國牛津，是英國倫敦證交所的上市公司，為工業(yè)和科研客戶提供分析設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備、超導(dǎo)磁體、超低溫設(shè)備等高科技解決方案及相關(guān)服務(wù)和支持。目前牛津儀器現(xiàn)已成為科學(xué)儀器領(lǐng)域的跨國集團(tuán)公司，生產(chǎn)基地、銷售服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和客戶遍及一百多個(gè)國家和地區(qū),目前在上海設(shè)有銷售、研發(fā)和全國售后服務(wù)中心 ，在北京、廣州設(shè)有辦事處，旨在為廣大中國用戶提供及時(shí)、有效的服務(wù)。牛津儀器等離子體技術(shù)公司提供專業(yè)的刻蝕和沉積工藝解決方案, 這些解決方案基于等離子體，離子束，以及原子層沉積與刻蝕的諸多核心技術(shù)。其產(chǎn)品范圍覆蓋了從高產(chǎn)能的集簇式cassette-to-cassette工業(yè)化平臺(tái)到專為R&D而設(shè)計(jì)的緊湊型分立式設(shè)備。

Plasmapro 100系列 ICP電感耦合刻蝕機(jī)，RIE刻蝕機(jī)， Ionfab 離子束刻蝕沉積， PECVD等離子加強(qiáng)型介質(zhì)沉積，ICPCVD 電感耦合等離子加強(qiáng)型介質(zhì)沉積以及ALD 原子層沉積

隨著5G技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，頻譜，容量以及傳輸速率這幾大因素決定了如何有效承載整個(gè)5G網(wǎng)絡(luò)。而作為第三代半導(dǎo)體襯底材料之一的磷化銦因其優(yōu)于其他半導(dǎo)體材料的頻率特性在5G, 以及超晶格紅外探測等領(lǐng)域都得到了充分的應(yīng)用。萬物互聯(lián)需要使用光纖實(shí)現(xiàn)超高速數(shù)據(jù)傳輸，而使用了磷化銦材料制造的激光器發(fā)出的光在光纖中可實(shí)現(xiàn)無損耗傳輸，從而保證的數(shù)據(jù)的高速和有效性。牛津儀器等離子體作為有著60年半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的英國廠商，為化合物半導(dǎo)體器件前段制造領(lǐng)域提供完善的刻蝕以及薄膜沉積的解決方案。牛津儀器等離子體的刻蝕設(shè)備在行業(yè)內(nèi)第一家通過4寸磷化銦邊發(fā)射激光器量產(chǎn)驗(yàn)證，其ICP以及RIE刻蝕設(shè)備如今被廣泛使用于光通訊以及數(shù)據(jù)通訊中使用的半導(dǎo)體接收器的制造，比如周期光柵，光脊，平臺(tái)以及介質(zhì)層的刻蝕。除了作為有源器件的邊發(fā)射激光器，其制造過程中的絕緣以及側(cè)面保護(hù)也非常重要，所以牛津儀器等離子體還為用戶度身定制了先進(jìn)的介質(zhì)薄膜沉積設(shè)備包括PECVD，ICPCVD，IBD以及ALD。用戶可以結(jié)合自身需求選擇最適合的刻蝕以及沉積配套設(shè)備來實(shí)現(xiàn)高性能，高良率，高信賴性的器件生產(chǎn)。

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