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據(jù)報(bào)道,NTT與東京工業(yè)大學(xué)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)成研究院未來產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所合作,在高熱導(dǎo)率的SiC基板上制作了磷化銦(InP)薄膜激光器。這是全球第一個(gè)實(shí)現(xiàn)3dB帶寬超過100GHz的直接調(diào)制激光器,可以以每秒256G比特的速度傳輸2千米。 目前,直接調(diào)制激光器被廣泛用于數(shù)據(jù)中心,但是受到其調(diào)制速度的限制,一直難以進(jìn)一步提高傳輸容量。 該研究成果能夠以低成本和低功耗的解決方案來應(yīng)對預(yù)期的通信量增長,并有助于實(shí)現(xiàn)支持NTT IOWN概念的高容量光傳輸基礎(chǔ)設(shè)施。2020年10月19日的《自然光子學(xué)》報(bào)道了這項(xiàng)研究。
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