據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（簡(jiǎn)稱：宜普電源，英文：EPC）最近推出一組專為激光雷達(dá)（LiDAR）系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器。這款新型氮化鎵（GaN）產(chǎn)品系列旨在普及飛行時(shí)間（ToF）在自動(dòng)駕駛汽車、消費(fèi)及工業(yè)3D傳感中的應(yīng)用。

宜普電源為激光雷達(dá)開發(fā)的新型器件直接集成了驅(qū)動(dòng)器與GaN基激光器，幾乎消除了將兩者分離設(shè)計(jì)而存在的電感問題。宜普電源首席執(zhí)行官Alex Lidow解釋說(shuō)，這種設(shè)計(jì)使得宜普電源的新型激光驅(qū)動(dòng)器能夠產(chǎn)生相對(duì)更快的脈沖，最終使激光雷達(dá)獲得更高的分辨率。

Alex Lidow說(shuō)：“激光產(chǎn)生速度越快越好！”

集成設(shè)計(jì)也減小了傳感器和驅(qū)動(dòng)器組合件的尺寸，新器件系列產(chǎn)品的面積只有3平方毫米，甚至1平方毫米。Lidow補(bǔ)充說(shuō)，這樣會(huì)帶來(lái)價(jià)格的降低。

“一顆不足1美元的激光驅(qū)動(dòng)器，相比于100美元、200美元的價(jià)格，會(huì)帶來(lái)什么改變？”Lidow如此解釋，OEM廠商會(huì)發(fā)現(xiàn)為宜普電源的新器件投入只是一筆微不足道的費(fèi)用。

Lidow說(shuō)到，在機(jī)器人、吸塵器、無(wú)人機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域，宜普電源的產(chǎn)品已經(jīng)用于數(shù)百萬(wàn)臺(tái)激光雷達(dá)。他相信，隨著新型激光雷達(dá)的性能提高、體積縮小、成本降低，將吸引智能手機(jī)、豪華汽車等更多其他終端廠商采用。

另外也包括攝像頭。攝像頭的光學(xué)傳感器需要一定時(shí)間對(duì)進(jìn)入鏡頭的物體進(jìn)行聚焦。以光速測(cè)定物距是激光雷達(dá)的基本功能，所以Lidow的設(shè)想是把激光雷達(dá)也集成到攝像頭系統(tǒng)中。

Lidow強(qiáng)調(diào)如何在激光雷達(dá)應(yīng)用領(lǐng)域以低成本引入這個(gè)新器件系列，并與MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。宜普電源推出的激光驅(qū)動(dòng)器EPC21601在單顆芯片上集成了40V、10A的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）、柵極驅(qū)動(dòng)器，采用3.3V邏輯電平輸入。

激光雷達(dá)是一種利用脈沖激光測(cè)量物體距離、并根據(jù)獲取的信息輸出三維圖像的技術(shù)。激光雷達(dá)技術(shù)提供精確、廣域覆蓋、全數(shù)字支持的數(shù)據(jù)收集功能。

采用GaN技術(shù)的FET，適合作為激光開關(guān)的驅(qū)動(dòng)元件，能夠?qū)崿F(xiàn)大電流和極短脈沖。窄脈沖寬度能提供更高的分辨率，而高脈沖電流能讓激光雷達(dá)系統(tǒng)探測(cè)更遠(yuǎn)的距離。Lidow評(píng)論道：“GaN技術(shù)滿足上述兩種特性要求，因此它成為了激光雷達(dá)的理想選擇。”

激光雷達(dá)的飛行時(shí)間技術(shù)

脈沖式激光雷達(dá)技術(shù)用于遠(yuǎn)距離直接測(cè)量光子往返的時(shí)間，進(jìn)而計(jì)算出距離，這稱為“飛行時(shí)間法”。Lidow提出：“ToF技術(shù)其實(shí)非常簡(jiǎn)單，本質(zhì)上它就是測(cè)量光子往返時(shí)間。”

不過，如果對(duì)近距離的物體進(jìn)行測(cè)量，激光信號(hào)的脈沖寬度會(huì)帶來(lái)一個(gè)問題。“光每3ns傳播1m，所以1ns寬的脈沖無(wú)法真正測(cè)量到1m以內(nèi)的物體，除非采用輸出和輸入之間的相位差來(lái)判斷。所以針對(duì)短距離測(cè)量時(shí)，會(huì)選擇光功率更高的間接飛行時(shí)間（iToF）。脈沖流的頻率為100MHz，測(cè)量一系列脈沖流的相位差，以此來(lái)推算物體的距離。”Lidow說(shuō)道。

他又補(bǔ)充道：“如果要觀測(cè)幾英尺以外的物體，只需要電流為1A~10A的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。但如果想觀測(cè)更遠(yuǎn)具體的物體，就需要更大的功率，因?yàn)槟阌玫氖菬o(wú)方向性的激光脈沖。因此，iToF往往在近距離測(cè)量中表現(xiàn)非常出色，但對(duì)遠(yuǎn)距離物體來(lái)說(shuō)并非是一個(gè)有效的方法。”

圖1：脈沖寬度及振幅（來(lái)源：宜普電源）

用于激光雷達(dá)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器

EPC21601是一款邏輯控制電壓為3.3V、頻率高達(dá)200MHz、激光驅(qū)動(dòng)電流可調(diào)制最大10A的激光驅(qū)動(dòng)器。其開啟、斷開時(shí)間分別為410ps和320ps。作為一顆單芯片plus eGaN FET驅(qū)動(dòng)器，EPC21601采用EPC的GaN IC專利技術(shù)、芯片級(jí)BGA封裝，尺寸僅有1.5mm x 1.0mm。

EPC21601是一顆40V、10A的FET，用于驅(qū)動(dòng)邏輯電平輸入為3.3V的VCSEL。“使用兩個(gè)獨(dú)立芯片而非單個(gè)芯片時(shí)，需要注意的是：兩個(gè)獨(dú)立芯片在驅(qū)動(dòng)器和功率FET之間會(huì)存在大約50pH的電感，這50pH的電感會(huì)使速度減半。所以，即使是把電感減小到10pH或20pH，也是非常重要的。驅(qū)動(dòng)器和功率FET的集成能將共源極電感減至10pH以下，從而改善脈沖的上升和下降時(shí)間，同時(shí)也改善了對(duì)近距離物體的分辨率。”Lidow說(shuō)道。

圖2：EPC21601的時(shí)延性能（來(lái)源：宜普電源）

EPC21601采用芯片級(jí)封裝（CSP），易于組裝，節(jié)省占板面積，提高整體效率。Lidow表示：“本系列產(chǎn)品將更快、更多地推動(dòng)ToF技術(shù)進(jìn)入終端應(yīng)用。”他補(bǔ)充道：“超聲波傳感器的局限是無(wú)法探測(cè)距離小于30cm的物體，這與工作頻率有關(guān)。所以可以替換超聲波傳感器和近距離攝像頭芯片。”EPC21601就是專門為高速和短脈沖操作而設(shè)計(jì)的，同時(shí)最大幅度地減少了所需外部組件的數(shù)量。

圖3：EPC21601的時(shí)延性能——200MHz（來(lái)源：宜普電源）

在圖2和圖3中，Lidow展示了如何用一系列測(cè)試驗(yàn)證新器件在高速應(yīng)用中的有效性。“圖2中有一個(gè)10A、20V、9ns的脈沖序列，開啟時(shí)間約400ps，斷開時(shí)間約300ps，開啟和斷開時(shí)受電感限制，這種條件下能分辨非常近的距離。圖3是一個(gè)200MHz的脈沖序列。脈沖時(shí)間縮短為1.4ns，電流和電壓仍然是10A和20V。從圖中可以看出，斷開時(shí)間是245ps。”Lidow還補(bǔ)充道，根據(jù)圖2和圖3，新的激光驅(qū)動(dòng)器IC可以配合ToF應(yīng)用中任何對(duì)速度要求非�？斓募す馄骷夹g(shù)。

圖4：演示電路板（來(lái)源：宜普電源）

圖5：EPC9154開發(fā)板電路圖（來(lái)源：宜普電源）

Lidow提到還有一些比如EPC9154的開發(fā)板，具有eToF激光驅(qū)動(dòng)IC EPC21601的特點(diǎn)，主要用來(lái)驅(qū)動(dòng)短脈沖高電流激光二極管。其性能包括：最小脈沖寬度小于2ns、峰值電流大于10A、及30V母線電壓。EPC9154能利用電流脈沖驅(qū)動(dòng)激光二極管，峰值功率達(dá)幾十瓦。用于激光雷達(dá)的激光二極管在設(shè)計(jì)時(shí)考慮到了這一點(diǎn)，但激光器封裝時(shí)的散熱限制則要求必須確認(rèn)對(duì)脈沖寬度、工作周期和脈沖重復(fù)頻率的限制。

圖6：連接與測(cè)量設(shè)置（來(lái)源：宜普電源）

正如Lidow指出的那樣，出于特定的原因，可能影響性能的開關(guān)損耗實(shí)際上對(duì)熱問題的影響并不大，因?yàn)榧す馐窃谕话l(fā)模式（burst mode）下使用的。“因此，它周期性地發(fā)射200MHz的脈沖流，也可能是100kHz，或是10kHz，這取決于想要達(dá)到的幀率。每一種情況下，激光器都存在熱極限。”Lidow說(shuō)道。

他補(bǔ)充說(shuō)，“作為一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手來(lái)審視MOSFET。硅基MOSFET的成本非常低，而且是人們都很熟悉的產(chǎn)品。但其在高頻和高功率密度的應(yīng)用中受到限制。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，我們現(xiàn)在看到GaN技術(shù)的采用大量增加，因?yàn)殡姍C(jī)在低電壓下的工作頻率從20kHz增加到100kHz。對(duì)于新一代汽車來(lái)說(shuō)，需要的是4kW或5kW功率器件，其中4kW MOSFET最佳，因此需要帶MOSFET的七相降壓變換器，而GaN能分四個(gè)階段實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能，還節(jié)省空間、提高效率。”

新型eToF會(huì)給消費(fèi)者帶來(lái)更多收益，包括豪華機(jī)器人和其它價(jià)位相對(duì)低廉的機(jī)器人。這些機(jī)器人都需要激光雷達(dá)幫助它們不會(huì)與物體相撞，并準(zhǔn)確定位。無(wú)人機(jī)上使用該解決方案可以擴(kuò)大地面識(shí)別域，從而進(jìn)一步拓展市場(chǎng)。