II-VI 公司于2020年8月12日宣布，將在2020年末完成對(duì)Ascatron AB（SiC外延晶片和功率電子學(xué)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者）和INNOViON Corporation（Si和半導(dǎo)體器件離子注入技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者）兩家公司的收購(gòu)。此次收購(gòu)意在打造垂直集成化SiC電子技術(shù)平臺(tái)。

眾所周知，目前SiC技術(shù)已成為了功率電子學(xué)領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)，其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)對(duì)于動(dòng)力汽車(chē)、可再生能源、微電網(wǎng)以及用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和通信的電源至關(guān)重要。與最新的硅基器件相比，基于SiC的器件具有更高的效率、更高的能量密度和更低的系統(tǒng)成本，且基于SiC的電子設(shè)備還可以通過(guò)減少二氧化碳排放量和減小能耗的方式最大程度的降低對(duì)環(huán)境的影響。

Ascatron擁有最先進(jìn)生產(chǎn)SiC外延晶片和SiC器件的能力，其產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于各種高壓電子產(chǎn)品中。其團(tuán)隊(duì)由200余名寬帶隙材料領(lǐng)域的專(zhuān)家組成，他們都在SiC行業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)擁有極為豐富的經(jīng)驗(yàn)，這也使得Ascatron在SiC開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工藝領(lǐng)域擁有世界一流的水平。

INNOViON是世界上最大的離子注入服務(wù)提供商，在全球范圍內(nèi)擁有30個(gè)離子注入機(jī)，是世界上唯一可以加工高達(dá)300mm晶圓半導(dǎo)體材料的公司，其工藝目前可以完成包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅在內(nèi)的各種半導(dǎo)體摻雜。

正是基于Ascatron和INNOViON的技術(shù)平臺(tái)在同類(lèi)產(chǎn)品中領(lǐng)先的地位，II-VI Incorporated才會(huì)選擇這兩家公司作為原有SiC基底、全球大規(guī)模晶圓制造及碳化硅器件技術(shù)市場(chǎng)的補(bǔ)充。其首席執(zhí)行官Jr. Mattera表示，將在為現(xiàn)有客戶(hù)提供先進(jìn)的材料和組件的同時(shí)，會(huì)基于原有對(duì)SiC的充分了解及先進(jìn)的SiC外延、SiC器件制造和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，與兩家公司的先進(jìn)技術(shù)相互結(jié)合，打造世界領(lǐng)先的垂直集成化SiC（150 mm）技術(shù)平臺(tái)，以滿(mǎn)足對(duì)SiC電子器件日益增長(zhǎng)的需求。

作為其垂直整合戰(zhàn)略的一部分，II-VI將繼續(xù)利用其廣泛的工程材料和光電器件技術(shù)平臺(tái)，以及在全球范圍的制造能力，并將通過(guò)開(kāi)發(fā)高性能化合物半導(dǎo)體器件來(lái)進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新并擴(kuò)大規(guī)模。

參考來(lái)源：

https://www.ii-vi.com/news/ii-vi-incorporated-to-acquire-ascatron-and-outstanding-interests-in-innovion-for-vertically-integrated-silicon-carbide-power-electronics-technology-platform/